WEKO3
アイテム
Tiインサート金属を用いたSiCとCuとのパルス通電接合
http://hdl.handle.net/10112/10477
http://hdl.handle.net/10112/1047768aa1351-1c39-4f8b-beec-307459a31070
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KU-1100-20030900-00.pdf (704.8 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2016-10-24 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Tiインサート金属を用いたSiCとCuとのパルス通電接合 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Pulsed Electric-Current Bonding of SiC to Cu with Ti Intermediate Layer | |||||
| 著者 |
西本, 明生
× 西本, 明生× 中尾, 和祺× 赤松, 勝也× 池内, 建二 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 27483 | |||||
| 姓名 | Nishimoto, Akio | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 27484 | |||||
| 姓名 | Nakao, Kazuyoshi | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 27485 | |||||
| 姓名 | Akamatsu, Katsuya | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 27486 | |||||
| 姓名 | Ikeuchi, Kenji | |||||
| 概要 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | The bonding of SiC (pressureless-sintered silicon carbide) and Cu (oxygen-free copper) with a Ti intermediate layer was carried out using pulsed electric-current sintering. The influences of the intermediate layer on the bond strength and the microstructure of the joint were then investigated by SEM and TEM observations. The bonding conditions were varied between 923-1173 K for 1.8-3.6 ks under a constant bonding pressure of 24 MPa. The bond strength of SiC to Cu with a Ti intermediate layer showed marked improvement, whereas the direct bonding without an intermediate layer resulted in the separation of SiC from the Cu specimen immediately after the bonding operation without any application of external load. TEM observations of the joint interface with the Ti intermediate layer revealed that a TiC layer ～300 nm thick and a Cu solid-solution layer ～70 nm thick had covered most of the interface, with the Cu layer formed between the TiC layer and the SiC matrix. |
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| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 平成14年度関西大学学術研究助成基金 | |||||
| 書誌情報 |
日本金属学会誌 巻 67, 号 9, p. 432-435, 発行日 2003-09 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00214876 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00062446 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | 10.2320/jinstmet1952.67.9_432 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | © 2003 The Japan Institute of Metals | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 日本金属学会 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 放電プラズマ焼結 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | パルス通電接合 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | セラミックス | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 透過電子顕微鏡法 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | セラミックス/金属界面 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | パルス通電焼結 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | interfacial microstructure | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | transmission electron microscopy | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | reactive metal | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | pulsed electric-current sintering | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | bonding | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | silicon carbide | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | titanium | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | spark plasma sintering | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ceramics | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ceramics-metal interface | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 関西大学 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Kansai University | |||||
