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  1. 1100 学部・機構・専門職大学院
  2. 理工系学部
  3. 化学生命工学部
  4. 雑誌発表論文等

Synthesis and Property of Tannic Acid Derivatives and Their Application for Extreme Ultraviolet Laser Lithography System

http://hdl.handle.net/10112/16259
http://hdl.handle.net/10112/16259
18cc0dd0-890b-417c-9af7-86ce6dbf24ea
名前 / ファイル ライセンス アクション
KU-1100-20180600-00.pdf KU-1100-20180600-00.pdf (123.6 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2018-08-31
タイトル
タイトル Synthesis and Property of Tannic Acid Derivatives and Their Application for Extreme Ultraviolet Laser Lithography System
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Kudo, Hiroto

× Kudo, Hiroto

WEKO 26865
e-Rad 30343635

Kudo, Hiroto

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Ohori, Shizuya

× Ohori, Shizuya

WEKO 26866

Ohori, Shizuya

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Takeda, Hiroya

× Takeda, Hiroya

WEKO 26867

Takeda, Hiroya

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Ogawa, Hiroki

× Ogawa, Hiroki

WEKO 26868

Ogawa, Hiroki

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Watanabe, Takeo

× Watanabe, Takeo

WEKO 26869

Watanabe, Takeo

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Yamamoto, Hiroki

× Yamamoto, Hiroki

WEKO 26870

Yamamoto, Hiroki

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Kozawa, Takahiro

× Kozawa, Takahiro

WEKO 26871

Kozawa, Takahiro

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著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 26873
姓名 工藤, 宏人
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 26874
姓名 大堀, 静也
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 26875
姓名 竹田, 紘也
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 26876
姓名 小川, 大貴
概要
内容記述タイプ Other
内容記述 We synthesized tannic acid derivatives with pendant cyclohexyl acetal moieties (TA-CVEn), butyl acetal moieties (TA-BVEn), and adamantyl ester moieties (TA-ADn) by the reaction of tannnic acid (TA) with cyclohexyl vinyl ether (CVE), butyl vinyl ether (BVE), and adamantyl bromo acetate (AD) in various feeds ratios. The synthesized TA-CVEn, TA-BVEn, and TA-ADn had good solubility, good film-forming ability, and high thermal stability relevant to application of photolithography materials. However, only TA-BVE97 and TA-AD74 can be used as positive-type photo-resist materials using 2.38 wt% TMAH aq. as developer due to the result of thickness loss property. Furthermore, their resist-sensitivity upon EUV exposure tool and etching durability were adequate and they have high potential as next-generation resist material for EUV lithography.
書誌情報 Journal of Photopolymer Science and Technology

巻 31, 号 2, p. 221-225, 発行日 2018-06
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 13496336
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 09149244
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.2494/photopolymer.31.221
権利
権利情報 (C) 2017 The Society of Photopolymer Science and Technology (SPST)
権利
権利情報 (C)フォトポリマー学会; このデータはフォトポリマー学会からの許諾を得て公開しています。
著者版フラグ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
出版者
出版者 The Society of Photopolymer Science and Technology
キーワード
主題Scheme Other
主題 Tannic acid
キーワード
主題Scheme Other
主題 Positive-type resist
キーワード
主題Scheme Other
主題 Extreme ultraviolet laser
キーワード
主題Scheme Other
主題 関西大学
キーワード
主題Scheme Other
主題 Kansai University
出版者(他言語)
値 フォトポリマー学会
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Ver.1 2023-05-15 14:32:38.702172
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