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  1. 1100 学部・機構・専門職大学院
  2. 理工系学部
  3. Science and technology reports of Kansai University = 関西大学理工学研究報告
  4. No.67

SIGNATURE OF DIRAC FERMION INJECTION FROM HOLE-DOPED GRAPHENE INTO TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS

https://doi.org/10.32286/0002002557
https://doi.org/10.32286/0002002557
30e628ec-7a07-46e7-8195-0b75dd47b00e
名前 / ファイル ライセンス アクション
KU-1100-20250320-02.pdf KU-1100-20250320-02.pdf (421 KB)
アイテムタイプ 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2025-03-25
タイトル
タイトル SIGNATURE OF DIRAC FERMION INJECTION FROM HOLE-DOPED GRAPHENE INTO TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
ID登録
ID登録 10.32286/0002002557
ID登録タイプ JaLC
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
著者 細見, 誓

× 細見, 誓

en Hosomi, Sei

ja 細見, 誓

Search repository
本多, 周太

× 本多, 周太

WEKO 27935
e-Rad_Researcher 00402553
ORCID iD 0000-0003-0977-8049

en Honda, Syuta

ja 本多, 周太

Search repository
稲田, 貢

× 稲田, 貢

WEKO 52536
e-Rad_Researcher 00330407

en Inada, Mitsuru

ja 稲田, 貢

Search repository
佐藤, 伸吾

× 佐藤, 伸吾

WEKO 1767
e-Rad_Researcher 60709137
ORCID iD 0000-0001-8000-1801

en Sato, Shingo

ja 佐藤, 伸吾

Search repository
谷, 弘詞

× 谷, 弘詞

WEKO 27753
e-Rad_Researcher 40512702

en Tani, Hiroshi

ja 谷, 弘詞

Search repository
谷口, 尚

× 谷口, 尚

e-Rad_Researcher 80354413

en Taniguchi, Takashi

ja 谷口, 尚

Search repository
渡邊, 賢司

× 渡邊, 賢司

e-Rad_Researcher 20343840
ORCID iD 0000-0003-3701-8119

en Watanabe, Kenji

ja 渡邊, 賢司

Search repository
上野, 啓司

× 上野, 啓司

e-Rad_Researcher 40223482

en Ueno, Keiji

ja 上野, 啓司

Search repository
山本, 真人

× 山本, 真人

WEKO 54080
e-Rad_Researcher 00748717

en Yamamoto, Mahito

ja 山本, 真人

Search repository
概要
内容記述タイプ Other
内容記述 We fabricated field-effect transistors (FETs) based on two-dimensional (2D) semiconductors with hole-doped graphene as source contacts. The graphene-contacted MoS₂ FET exhibited n-type transport with the subthreshold swing (SS) below the Boltzmann limit of 60 mV/decade at room temperature. In contrast, the graphene-contacted WSe₂ FET displayed ambipolar transport, where the sub-60 mV/decade switching was observed only in the electron branch. These observations imply the injection of Dirac fermions from hole-doped graphene into the 2D semiconductors.
言語 en
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 JSPS KAKENHI Grant Numbers : 22H01914, 22K18816, 22H05472, 23H02052
言語 en
書誌情報 en : Science and technology reports of Kansai University = 関西大学理工学研究報告

巻 67, p. 13-19, 発行日 2025-03-20
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 04532198
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA12314657
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
出版者
出版者 Kansai University
言語 en
出版者(他言語)
言語 ja
値 関西大学
キーワード
言語 ja
主題Scheme Other
主題 関西大学
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Kansai University
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Ver.1 2025-03-25 03:03:03.257956
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