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  1. 1100 学部・機構・専門職大学院
  2. 理工系学部
  3. システム理工学部
  4. 雑誌発表論文等

Single Current Control of Magnetization in Vertical High-Aspect-Ratio Nanopillars on In-Plane Magnetization Layers

http://hdl.handle.net/10112/0002001500
http://hdl.handle.net/10112/0002001500
20ae07c9-518b-445a-b974-7f549f153d14
名前 / ファイル ライセンス アクション
KU-1100-20240521-01.pdf KU-1100-20240521-01.pdf (688 KB)
license.icon
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2025-05-21
タイトル
タイトル Single Current Control of Magnetization in Vertical High-Aspect-Ratio Nanopillars on In-Plane Magnetization Layers
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
著者 本多, 周太

× 本多, 周太

WEKO 27935
e-Rad 00402553
ORCID iD 0000-0003-0977-8049

ja 本多, 周太
ISNI

en Honda, Syuta

Search repository
園部, 義明

× 園部, 義明

ORCID iD 0000-0003-3863-6947

en Sonobe, Yoshiaki

ja 園部, 義明

Search repository
概要
内容記述タイプ Other
内容記述 Ferromagnetic pillars standing on a substrate hold promise for use in recording segments of multibit nonvolatile memories. These pillars exhibit high thermal stability in their magnetization owing to the influence of shape and perpendicular magnetic anisotropies. Recent micromagnetic simulations have demonstrated the feasibility of magnetization control in these pillars. Such control was achieved through the spin-transfer torque induced by the current flowing within the pillar and the spin-orbit torque generated by the current flowing through the heavy-metal lead at the bottom of the pillars. However, the presence of two current paths complicates circuit design, posing challenges in device integration. To solve this problem, we propose a new structure wherein a pillar is placed on a thin film with in-plane magnetization. When current flows through this structure, a torque is applied to the magnetization of the pillar, similar to that of the three-terminal structure. Magnetization reversal and control in the proposed structure were demonstrated using micromagnetic simulations. Specifically, magnetization reversal was achieved in a 100 nm-long permalloy pillar, whereas the magnetization corresponding to a three-bit sequence was generated in a 250 nm-long permalloy pillar. We propose two methods to control the magnetization of multibit memory. One method uses two different current intensities, whereas the other uses constant and pulsed currents of identical intensity. Notably, in the proposed structure, magnetization was controlled using only a unidirectional current. In particular, magnetization can be controlled with a pulsed current using a single current strength. This advancement will simplify the circuitry required to control magnetic memory, bringing the realization of magnetic memory devices closer to reality.
言語 en
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 KAKENHI (grant numbers : 20H02607 and 23K17765)
言語 en
書誌情報 en : Journal of Physics D : Applied Physics

巻 57, 号 32, p. 1-9, 発行日 2024-05-21
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 00223727
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 13616463
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00704905
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1088/1361-6463/ad4a85
権利
言語 en
権利情報 This is the Accepted Manuscript version of an article accepted for publication in Journal of Physics D: Applied Physics. IOP Publishing Ltd is not responsible for any errors or omissions in this version of the manuscript or any version derived from it. The Version of Record is available online at 10.1088/1361-6463/ad4a85.
著者版フラグ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
出版者
出版者 IOP Publishing
言語 en
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 multibit memory
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 PSA-MRAM
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 domain wall motion
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 micromagnetic simulation
キーワード
言語 ja
主題Scheme Other
主題 関西大学
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Kansai University
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Ver.1 2024-06-12 01:25:33.691080
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