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  1. 1100 学部・機構・専門職大学院
  2. 理工系学部
  3. Science and technology reports of Kansai University = 関西大学理工学研究報告
  4. No.50

Design Feasibility and Prospect of High-Performance Sub-50-nm-Channel Silicon-on-Insulator Single-Gate SOI MOSFET

http://hdl.handle.net/10112/12438
http://hdl.handle.net/10112/12438
148aeeab-7a17-4b97-8122-202c6feaedeb
名前 / ファイル ライセンス アクション
KU-1100-20080320-03.pdf KU-1100-20080320-03.pdf (785.9 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2018-02-20
タイトル
タイトル Design Feasibility and Prospect of High-Performance Sub-50-nm-Channel Silicon-on-Insulator Single-Gate SOI MOSFET
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 Omura, Yasuhisa

× Omura, Yasuhisa

WEKO 28287
e-Rad 20298839

Omura, Yasuhisa

Search repository
Yoshimoto, Kazuhisa

× Yoshimoto, Kazuhisa

WEKO 28288

Yoshimoto, Kazuhisa

Search repository
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 28289
姓名 大村, 泰久
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 28290
姓名 吉本, 一久
概要
内容記述タイプ Other
内容記述 This paper describes advanced results of our evaluation of the minimum channel length (Lmin). For the first time, we have added the constraint of subthreshold swing to that of threshold voltage, which has already been proposed. The Lmin definition that includes the subthreshold swing constraint successfully yields a design guideline for low standby power applications, while the Lmin definition based on the threshold voltage constraint does the same for high-speed applications. In contrast to previous predictions, simulation results indicate that the planar single-gate SOI MOSFET promises better performance, clearing the ITRS roadmap until at least 2007 for low standby power applications.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING, 50th anniversary edition
書誌情報 Science and technology reports of Kansai University = 関西大学理工学研究報告

巻 50, p. 29-44, 発行日 2008-03-20
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 04532198
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA12314657
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
出版者
出版者 Kansai University
キーワード
主題Scheme Other
主題 関西大学
キーワード
主題Scheme Other
主題 Kansai University
キーワード
主題Scheme Other
主題 SOI MOSFET
キーワード
主題Scheme Other
主題 planar
キーワード
主題Scheme Other
主題 single gate
キーワード
主題Scheme Other
主題 minimum channel
キーワード
主題Scheme Other
主題 ITRS road map
キーワード
主題Scheme Other
主題 high speed
キーワード
主題Scheme Other
主題 low standby power
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Ver.1 2023-05-15 14:09:42.415089
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