WEKO3
アイテム
Design Feasibility and Prospect of High-Performance Sub-50-nm-Channel Silicon-on-Insulator Single-Gate SOI MOSFET
http://hdl.handle.net/10112/12438
http://hdl.handle.net/10112/12438148aeeab-7a17-4b97-8122-202c6feaedeb
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
---|---|---|
![]() |
|
Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
公開日 | 2018-02-20 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Design Feasibility and Prospect of High-Performance Sub-50-nm-Channel Silicon-on-Insulator Single-Gate SOI MOSFET | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
著者 |
Omura, Yasuhisa
× Omura, Yasuhisa× Yoshimoto, Kazuhisa |
|||||
著者別名 | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 28289 | |||||
姓名 | 大村, 泰久 | |||||
著者別名 | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 28290 | |||||
姓名 | 吉本, 一久 | |||||
概要 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | This paper describes advanced results of our evaluation of the minimum channel length (Lmin). For the first time, we have added the constraint of subthreshold swing to that of threshold voltage, which has already been proposed. The Lmin definition that includes the subthreshold swing constraint successfully yields a design guideline for low standby power applications, while the Lmin definition based on the threshold voltage constraint does the same for high-speed applications. In contrast to previous predictions, simulation results indicate that the planar single-gate SOI MOSFET promises better performance, clearing the ITRS roadmap until at least 2007 for low standby power applications. | |||||
内容記述 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING, 50th anniversary edition | |||||
書誌情報 |
Science and technology reports of Kansai University = 関西大学理工学研究報告 巻 50, p. 29-44, 発行日 2008-03-20 |
|||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 04532198 | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA12314657 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | Kansai University | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 関西大学 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | Kansai University | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | SOI MOSFET | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | planar | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | single gate | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | minimum channel | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | ITRS road map | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | high speed | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | low standby power |